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中国の復旦大学が、2次元材料とシリコン基盤を融合した世界初のハイブリッド構造フラッシュメモリチップ「長筌（CY-01）」を発表。既存Flashメモリを凌ぐ高性能と高歩留まりを実現し、未来のストレージ技術に革新をもたらすと期待されます。原子レベルでの統合を可能にした技術の詳細に迫ります。...